BLG-30NM高精度激光位移传感器
发表时间：2023-08-26 10:31:49
凯基特KJT-KELR-TE系列激光位移传感器采用三角法测量原理，利用线阵CMOS器件作为光学接收器件，具有测量精度高、测量时间短等特点，产品光路经过独特的产品设计，成像质量稳定;具有独特的补光技术
主要技术参数：
| 供电电压 | Uv12V DC～24V DC±10% | |
| 残余纹波 | 脉动P-P10% | |
| 消耗电流 | 60mA以下(电源电压12VDC时) | ≤40mA以下(电源电压24V DC时) |
| 直线性 | ±0.1%F.S | ±0.2%F.S |
| 外壳材料 | 铸铝合金(AL) | 有机玻璃(PMMA) |
| 连接类型 | 引线 | |
| 显示器 | 4位数码管 | 2xLED |
| 外壳防护等级 | IP67 | |
| 防护等级 | III | |
(注)未指定时的测量条件如下：
电源电压： 24V DC、
周围温度：+20℃、
反应时间： 10ms、测量中心距离的模拟输出值。
对象物体：白色陶瓷。 (注2)：根据FDA规则的Laser Notice No.50的规定、并以FDA为基准。
该值为测量中心距离上的值。以中心光强度的1/e2 (约13.5%)定义这些值。 如果定义区域外有光泄漏，并且检测点周围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。
| 性能 | TE40 |
| 测量中心距离 | 400mm |
| 测量范围 | ±200mm |
| 光束直径 | 约φ500μm |
| 重复精度 | 300μm(测量距离200mm~400mm) 800μm(测量距离400mm~600mm) |
| 受光元件 | CMOS图像传感器 | |
| 光源 | 红色半导体激光2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2) | |
| 控制输出 | 〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 最大流入电流：50mA 外加电压：30VDC以下(控制输出和0V之间) 剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) 漏电流：0.1mA以下 |
〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 最大源电流：50mA 外加电压：30V DC以下(控制输出和＋V之间) 剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) 漏电流：0.1mA以下 |
| 模拟输出 | 模拟输出·输出范围：0V～5V(正常时)；5.2V(报警时) 输出阻抗：100Ω | |
| 输出范围： 4mA～20mA(正常时)； 0mA(报警时) | ||
| 动作输出 | 负载阻抗：300Ω 最大；入光时ON／非入光时ON可切换 | |
| 短路保护 | 自动复位式 | |
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公司资讯
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